瑞薩電子發(fā)布首款嵌入式閃存技術(shù)
日期:2012-01-09 16:08
據(jù)悉，近日，全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對(duì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠商，采用該技術(shù)的首款產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2012年秋季開始供應(yīng)。
瑞薩電子在開發(fā)具有高質(zhì)量及高可靠性的閃存MONOS(金屬氮氧硅)技術(shù)方面，擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)且廣受好評(píng)。在2007年，瑞薩電子便成為第一家推出90nm汽車用閃存MCU產(chǎn)品的廠商。
瑞薩電子閃存MONOS技術(shù)為可擴(kuò)充的
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