瑞薩電子發(fā)布首款嵌入式閃存技術(shù)
日期:2012-01-09 16:08
技術(shù)，不僅可靠性高且具備高效能。40nm閃存測試組件的評估結(jié)果，已證明其在三個重要的參數(shù)(數(shù)據(jù)保存、程序/擦寫周期耐受性及程序設(shè)計時間)方面，均能成功做到優(yōu)異的特性表現(xiàn)。40nm制程節(jié)點可整合多種與安全相關(guān)的功能性與通訊接口。
瑞薩電子40nm閃存IP保證數(shù)據(jù)可保存20年，并可在最高170℃結(jié)合溫度下進(jìn)行讀取。此外，程序代碼閃存支持120MHz讀取速度，而數(shù)據(jù)閃存即使在125,000次程序/擦寫周期后，仍可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的20年超長數(shù)據(jù)保存時間。
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