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下一代納米電機(jī)設(shè)備呼喚新材料
日期:2012-06-29 17:04
根據(jù)摩爾定律,半導(dǎo)體芯片上集成的晶體管數(shù)量每兩年就會翻一倍,其能耗也迅速增加。而且傳統(tǒng)的硅電子設(shè)備在極端環(huán)境如高溫或輻射條件下,也無法保證運(yùn)行。為了支持設(shè)備升級并降低能耗,研究人員一直在尋找替代技術(shù)或混合型技術(shù),其中納米電機(jī)(NEM)交換技術(shù)正逐漸顯出光明的前景。過去10年來,科學(xué)家對開發(fā)混合型或獨(dú)立型的納米電機(jī)設(shè)備傾注了極大熱情。
  據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道,最近,美國西北大學(xué)麥考密克工程學(xué)院研究了納米電機(jī)領(lǐng)域近10年來取得的進(jìn)步,詳述了各種不成功模式以及克服這些缺點(diǎn)的可能方法,并對該技術(shù)的前景

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