SKiN功率半導體封裝技術(shù)
日期:2012-02-14 10:37
要方法，綁定線連接達不到技術(shù)進步所帶來的更高電流密度，這意味著可靠性會受到損害。新的封裝中，燒結(jié)金屬箔片取代了芯片上的綁定線，芯片的下部燒結(jié)在DBC基板上。此封裝具有最佳的芯片熱連接和電氣連接，因為燒結(jié)層比焊層的熱阻小。燒結(jié)箔的整個表面與芯片相連，而接合線只在接觸點與芯片相連。得益于新封裝技術(shù)提供的高負載循環(huán)能力，運行在更高溫度下是可能的。鑒于諸如SiC和GaN等新材料逐漸使用，這些被提升的溫度可被充分利用。
但是，新封裝解決方案中，綁定線不是唯一被摒棄。事實上，新封裝是無焊接和無導熱涂層的。一個燒結(jié)層
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